特許

J-GLOBAL ID：200903065958709404

固体撮像装置及びその製造方法並びにその固体撮像装置を用いたシステム

発明者： 山口 鉄也 ,  井原 久典 ,  山下 浩史 ,  野崎 秀俊 ,  井上 郁子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074499
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの容量を大きくし、混色がなく、感度が高く、暗電流が少ない固体撮像装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に絶縁体による素子分離によってそれぞれが分離された素子領域内に形成された光電変換部1と、前記光電変換部と信号走査回路とを含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線11とを有する固体撮像装置において、前記光電変換部1は、少なくとも2回のイオン注入によって形成されており、前記光電変換部の素子表面部付近の面積が、深部の面積よりも大きいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁体による素子分離によってそれぞれが分離された素子領域内に形成された光電変換部と、前記光電変換部と信号走査回路とを含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線とを有する固体撮像装置において、前記光電変換部は、少なくとも2回のイオン注入によって形成されており、前記光電変換部の素子表面部付近の面積が、深部の面積よりも広いことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 E ,  H01L 31/10 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭60-018957
  
• 特開昭61-183958
  
• イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033230   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-018957
  
• 特開昭61-183958
  
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099139   出願人：松下電子工業株式会社