特許

J-GLOBAL ID：200903065959730695

局所処理装置

発明者： 宮島 弘夫 ,  小池 孝 ,  秋山 博明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046393
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237224
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 気体放電を安定的に効率よく発生させることで表面処理効率を向上させることのできる局所処理装置を提供する。【解決手段】 電磁的遮蔽をなすケーシング部材21を有する。前記ケーシング部材21内に処理用気体を流通させる放電管40を設ける。前記放電管40の両側に一対の電極46,48を対向配置する。前記放電管40と前記一対の電極46,48との間に誘電体からなる逆T字形状の保護部材36を設ける。これにより、前記一対の電極同士46,48とケーシング部材21とを遮断する。

請求項（抜粋）：

電磁的遮蔽をなすケーシングを有し、当該ケーシング内に処理用気体を流通させる放電管を設け、当該放電管の両側に一対の電極を対向配置して、前記放電管と前記一対の電極との間に配置した仕切り部と、前記一対の電極の下部を覆う受け部とからなる逆T字形状の誘電体である保護部材を設けたことを特徴とする局所処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 16/505 ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H

Fターム (27件)：

4K030FA01 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DD10 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045AC17 ,  5F045EF02 ,  5F045EF11 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EJ05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子部品、その実装方法、及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106399   出願人：セイコーエプソン株式会社