特許

J-GLOBAL ID：200903065961377366

プロセスシミュレータ、プロセスシミュレーション方法、デバイスシミュレータおよびデバイスシミュレーション方法

発明者： 谷本 弘吉 ,  遠田 利之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269105
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置内部の界面を構成する材料とその製造条件に応じてその界面での物理現象を表す物理モデルを変更することでシミュレーション精度を向上するプロセス・デバイスシミュレーション技術を提供する。【解決手段】 半導体装置の形状および半導体装置内部の不純物分布、半導体装置の電気的特性をシミュレーションするプロセス・デバイスシミュレーション技術である。半導体装置内部の界面の物理現象を表す物理モデルをその界面を構成する材料とその製造条件に応じて選択し、その物理モデルを用いて各シミュレーションすることで、シミュレーション精度を向上する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造プロセス条件を入力する装置と、前記入力された製造プロセス条件と各種の物理モデルを用いて前記半導体装置の形状および前記半導体装置内部の不純物分布を求めるべくイオン注入工程、エッチング工程、堆積工程、酸化工程、拡散工程を含む一連の半導体製造工程をシミュレーションする手段と、前記各工程のシミュレーション結果を入力し、前記半導体装置内部の界面を構成する材料とその材料の製造条件を判断する手段と、前記判断結果を入力し、前記界面での物理現象を表す最適な物理モデルを選択し、前記シミュレーション手段に出力する手段と、前記求めた半導体装置の形状および前記半導体装置内部の不純物分布を出力する装置とを少なくとも有することを特徴とするプロセスシミュレータ。

IPC (4件)：

H01L 21/00 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/00 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 Z

Fターム (11件)：

5F032AA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032CA17 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12