特許

J-GLOBAL ID：200903065961559448

半導体集積回路装置

発明者： 三井 一人 ,  中村 英明 ,  本城 繁 ,  吉崎 和夫 ,  山▲崎▼ 康司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326851
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 静電気破壊防止回路を有する半導体集積回路装置において、静電気破壊防止回路の静電気破壊耐圧を向上し、静電気破壊防止回路の占有面積を縮小する。【構成】 静電気破壊防止回路Cpを備えた半導体集積回路装置において、前記静電気破壊防止回路Cpの保護抵抗素子Rが、第1保護抵抗素子R1及び第1保護抵抗素子Rに比べて、溶融点が高く、電流密度が小さく、しかも比抵抗値が小さい材料で形成された第2保護抵抗素子R2で構成される。

請求項（抜粋）：

外部端子と入力初段回路又は出力最終段回路との間の結線経路に保護抵抗素子を有する静電気破壊防止回路を備えた半導体集積回路装置において、前記静電気破壊防止回路の保護抵抗素子が、一端側が外部端子に電気的に接続されるとともに他端側が入力初段回路又は出力最終段回路に電気的に接続される高融点金属膜で構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 23/60 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/06 311 A ,  H01L 23/56 B