特許
J-GLOBAL ID：200903065962172997
電界効果半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223923
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114611
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、電界効果半導体装置の製造方法に関し、不純物のイオン注入によってアモルファス化したソース領域とドレイン領域の結晶性を活性化アニールによって回復できるようにすることを目的とする。【構成】 半導体基板1と、この半導体基板上の素子形成予定領域に形成された絶縁体層2と、この絶縁体層を含む半導体基板上に形成された半導体層3からなる積層体の、この半導体層3の上にゲート部4、5を形成する工程と、このゲート部4、5をマスクとしてこの半導体層3のソース領域およびドレイン領域となる領域7に導電型を決定する不純物をイオン注入する工程と、このイオン注入によってアモルファス化したソース領域およびドレイン領域となる領域7の半導体層の結晶性を回復する活性アニール工程を有し、遅くともこの活性化アニール工程以前にソース領域およびドレイン領域の下の絶縁体層2を除去するように構成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上の素子形成予定領域に形成された絶縁体層と、該絶縁体層を含む該半導体基板上に形成された半導体層からなる積層体の該半導体層の上にゲート部を形成する工程と、該ゲート部をマスクとして該半導体層のソース領域およびドレイン領域となる領域に導電型を決定する不純物をイオン注入する工程と、該イオン注入によってアモルファス化したソース領域およびドレイン領域となる領域の半導体層の結晶性を回復する活性化アニール工程を有し、遅くとも該活性化アニール工程以前にソース領域およびドレイン領域の下の絶縁体層を除去することを特徴とする電界効果半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
