特許
J-GLOBAL ID：200903065963276249
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068276
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275369
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】微細ホ-ルにおけるAl合金膜のステップカバレ-ジを向上させることであり、さらに微細ホ-ルを完全に埋め込み、Al合金膜の平坦化を図ることである。【構成】N型シリコン基板11上のSiO2 膜13に形成されたコンタクトホ-ルを埋め込むに際し、第一のAl合金膜15をスパッタ法により、膜厚が3000オングストロ-ム以上5000オングストロ-ム以下になるように形成し、第一のAl合金膜15にレ-ザ光を照射する。次に、第二のAl合金膜18をスパッタ法により、所望の膜厚まで第一のAl合金膜15の上に形成する。また、コンタクトホ-ルを完全に埋め込むには、上述のように形成された第二のAl合金膜18にレ-ザ光を照射することにより、溶融されたAl合金膜18となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜に形成された開口部に導電層を埋め込むに際し、第一の導電層を形成し、レ-ザ光照射により上記第一の導電層を流動させた後、上記第一の導電層上に第二の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
