結晶欠陥の検査方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280695
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117151
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】半導体結晶の結晶欠陥の検査において、検査結果のバラツキをなくし、高精度にかつ安定して結晶欠陥の検査を行うことができ、さらには夜間でも検査が行えるように自動運転を可能にして作業者の負担を軽減できる結晶欠陥の検査方法を提供する。【解決手段】半導体結晶の結晶欠陥を検査する方法であって、育成された半導体単結晶をスライスして半導体ウエーハを作製し、得られた半導体ウエーハに選択エッチングを施して半導体ウエーハの表面に楕円形状のエッチングピットを出現させた後、該半導体ウエーハの表面を顕微鏡で観察して前記楕円形状のエッチングピットの最深部の深さ及び長軸の長さを測定し、該測定した最深部の深さ及び長軸の長さから最深部の深さ/長軸の長さの比を算出し、該算出した最深部の深さ/長軸の長さの比から結晶欠陥を識別して結晶欠陥の定量化を行うことを特徴とする結晶欠陥の検査方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体結晶の結晶欠陥を検査する方法であって、育成された半導体単結晶をスライスして半導体ウエーハを作製し、得られた半導体ウエーハに選択エッチングを施して半導体ウエーハの表面に楕円形状のエッチングピットを出現させた後、該半導体ウエーハの表面を顕微鏡で観察して前記楕円形状のエッチングピットの最深部の深さ及び長軸の長さを測定し、該測定した最深部の深さ及び長軸の長さから最深部の深さ/長軸の長さの比を算出し、該算出した最深部の深さ/長軸の長さの比から結晶欠陥を識別して結晶欠陥の定量化を行うことを特徴とする結晶欠陥の検査方法。

IPC (8件)：

G01B21/30 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06 , G01B11/30 , G01N21/956 , G06T1/00 , H01L21/66

FI (8件)：

G01B21/30 , C30B13/00 , C30B15/00 Z , C30B29/06 502Z , G01B11/30 A , G01N21/956 A , G06T1/00 305A , H01L21/66 N

Fターム (49件)：

2F065AA22 , 2F065AA25 , 2F065AA56 , 2F065CC17 , 2F065DD06 , 2F065FF04 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065QQ13 , 2F065QQ18 , 2F065QQ26 , 2F069AA31 , 2F069AA43 , 2F069AA60 , 2F069GG07 , 2F069HH30 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AC22 , 2G051CA04 , 2G051DA07 , 2G051EA16 , 2G051ED08 , 2G051ED23 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CE03 , 4G077CF10 , 4G077GA01 , 4G077GA06 , 4G077NA05 , 4G077PA16 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CB20 , 4M106DB04 , 4M106DB08 , 4M106DB18 , 4M106DH32 , 4M106DH50 , 4M106DJ04 , 4M106DJ20 , 5B057AA03 , 5B057BA02 , 5B057DA03 , 5B057DB02 , 5B057DC03 , 5B057DC06 , 5B057DC16

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