特許
J-GLOBAL ID：200903065969775808
レーザー加工装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-025296
公開番号（公開出願番号）：特開2004-230458
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】加工部近辺におけるデブリの付着を抑制してレーザー照射部近傍での濃度ムラを軽減し、また、レーザー照射の境界部分での加工残りを軽減して加工精度及び製造歩留りを向上させることができるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】アパーチャーマスク45を基板直上に備え、当該アパーチャーマスク45の開口45aはパターン加工部分とほぼ同じかそれ以下の大きさであるので、レーザー光がアパーチャーマスク45に入射し、アパーチャーマスク45の開口部45aのみで透過し、レーザー光が薄膜に照射され加工され、この照射された部分の薄膜が昇華され上昇し、その分子の一部が空気中にて再結合して下方向に落下するが、アパーチャーマスク45に堆積して基板に堆積しないため、パターン加工後にデブリが原因であった濃度ムラが生じない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザ光を射出するレーザー光源と、前記レーザー光源からレーザー光を所定のパターンに基板上を加工するためのパターンマスクとを備えるレーザー加工装置において、
前記基板直上近傍に配設され、パターンマスクを透過したレーザ光を透過する開口部がパターンの加工部分とほぼ同じかそれ以下の大きさで形成されるアパーチャーマスクを備えることを
特徴とするレーザー加工装置。
IPC (3件)：
B23K26/06
, B23K26/00
, B23K26/08
B23K26/06 J
, B23K26/06 E
, B23K26/00 H
, B23K26/08 D
4E068CD05
, 4E068CD10
, 4E068CE04
, 4E068CG05
, 4E068DA11
