特許

J-GLOBAL ID：200903065972009342

半導体装置

発明者： 名倉 英明 ,  横沢 眞覩 ,  椿 和彦 ,  吉村 昌祐
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211588
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342876
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に形成された出力用トランジスタの温度を検出する際の正確性及び迅速性を向上させる。【構成】 半導体装置1は、半導体基板上において、コレクタ領域10と第1のベース領域11と第1のエミッタ領域12とにより構成される出力用トランジスタ1Aと、コレクタ領域10と第2のベース領域13と第2のエミッタ領域14とにより構成される温度検出用トランジスタ1Bとを備えている。出力用トランジスタ1Aは半導体基板であるコレクタ領域10の中央部に設けられている。出力用トランジスタ1Aの中央部に空き領域が形成され、該空き領域に温度検出用トランジスタ1Bが設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に出力用半導体素子と該出力用半導体素子の温度を検出する温度検出用素子とを有する半導体装置であって、上記出力用半導体素子の中央部に空き領域が形成され、該空き領域に上記温度検出用素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  G01K 1/14 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-229758
  
• 特開平3-034360
  
• 特開昭55-117267