特許
J-GLOBAL ID：200903065972150673
真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186077
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェハーの全表面箇所において所定の真空処理を行うことができ、真空処理において半導体ウェハーが不所望に飛ばされることなく、かつ真空処理完了後の半導体ウェハーをスムースにまた安全に搬送することが可能な真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法を提供する。【構成】半導体ウェハー10の裏面16に加熱もしくは冷却されたガス27を吹き付けて半導体ウェハー10を加熱もしくは冷却し、減圧状態の半導体ウェハー10の表面15に所定の処理を行う真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法において、リング状板材12の上面の内周側を半導体ウェハー10の裏面16の周辺に固着し、半導体ウェハー10よりも外側に位置するリング状板材12の上面の外周側をリングチャック22でガス27を吹き付ける孔24が設けられたホルダー23上に押し付けて固定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハーの裏面に加熱もしくは冷却されたガスを吹き付けて前記半導体ウェハーを加熱もしくは冷却し、減圧状態の前記半導体ウェハーの表面に所定の処理を行う真空処理装置において、リング状板材の上面の内周側を前記半導体ウェハーの裏面の周辺に固着し、前記半導体ウェハーより外側に位置する前記リング状板材の上面の外周側をリングチャックで前記ガスを吹き付ける孔が設けられたホルダー上に押し付けて固定するようにすることを特徴とする真空処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 14/34
, C23C 16/44
, C23C 16/46
, C23F 4/00
