特許

J-GLOBAL ID：200903065981008570

半導体装置およびその製造方法

発明者： 外村 正一郎 ,  角田 勝己
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165628
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017007
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量が小さく配線遅延の小さな低比誘電率絶縁膜を有する半導体装置が耐湿性や機械的強度が十分でないという問題があった。【解決手段】 金属配線と該金属配線間を絶縁する絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜は比誘電率が1.2〜3.0の数値の低い比誘電率を有する低比誘電率絶縁膜であって、該低比誘電率絶縁膜がシリコン酸化物を主成分とする層内に埋設されていることを特徴とする半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

金属配線と該金属配線間を絶縁する絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜は比誘電率が1.2〜3.0の数値の低い比誘電率を有する低比誘電率絶縁膜であって、該低比誘電率絶縁膜がシリコン酸化物層内に埋設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K