半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：並川啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305668
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148719
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、第2の導電型を示し、かつ第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が成長されpn接合が形成されている半導体発光素子。【効果】これまで実用化されていないII-VI族化合物半導体を用いた短波長の半導体発光素子を安価な方法で製造できる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、第2の導電型を示し、かつ該第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が成長され、pn接合が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特公昭50-034916
特公昭50-034916

前のページに戻る