特許

J-GLOBAL ID：200903065984087713

半導体集積回路

発明者： 白井 豊 ,  村岡 一芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275470
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】広い電圧領域において集積回路の待機時、活性時ともに、消費電流の大小にかかわらず安定した内部降圧電位を供給することができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】降圧電位の駆動素子としてPMOSトランジスタP11を用いる第1の電源降圧回路と、降圧電位の駆動素子としてNMOSトランジスタN21を用いる第2の電源降圧回路と、第1の電源降圧回路のみを動作させることと、第1の電源降圧回路と前記第2の電源降圧回路とを共に動作させることとを外部電源電圧の状態に応じて切り替える切替え手段(オペアンプOP21、ナンド回路NAND21、オペアンプOP21の入力に接続される基準電位発生回路)とを具備する。

請求項（抜粋）：

降圧電位の駆動素子としてPチャネルMOSトランジスタを用いる第1の電源降圧回路と、降圧電位の駆動素子としてNチャネルMOSトランジスタを用いる第2の電源降圧回路と、前記第1の電源降圧回路のみを動作させることと、前記第1の電源降圧回路と前記第2の電源降圧回路とを共に動作させることとを外部電源電圧の状態に応じて切り替える切替え手段と、を具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A ,  H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225337   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-212786
  
• 特開平4-212786