特許

J-GLOBAL ID：200903065984603665

半導体形成装置およびそのクリーニング方法

発明者： 荻野 浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306628
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、減圧CVD装置の反応管内をガスエッチングによりクリーニングする場合において、常に最適なエッチングを行うことができるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、反応管11内に堆積したポリシリコン膜を除去する場合、まず、メインバルブ12を開き、反応管11内を真空ポンプ13にて反応圧力まで減圧する。また、ヒータ14により加熱し、反応管11内の温度を設定温度550〜650°Cに安定させた後、ClF3 ガスおよび希釈用のN2 ガスを導入する。このとき、反応管11内の圧力を2.0Torrに維持する。そして、ClF3 ガスを導入した時点より、ClF3 ガスとポリシリコン膜との反応熱を反応熱モニタ用熱伝対16によってモニタする。こうして、熱伝対16による温度の反応温度T1 への収束点により、エッチングの終点を検出するようになっている。

請求項（抜粋）：

半導体膜の形成を行う半導体形成装置において、反応管内に堆積した半導体膜をエッチングガスを用いて除去する際に、前記エッチングガスと前記半導体膜との反応熱をモニタするモニタ手段を設けてなることを特徴とする半導体形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 E