特許
J-GLOBAL ID：200903065984610840
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159753
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343282
出願日： 1991年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 露光装置自体の検出機構を利用し、この露光装置をフィードバック制御するためのオフセット値を高速かつ高精度に検出できる半導体製造装置を提供する。【構成】 ウエハWFにレジストを塗布するためのレジスト塗布装置COと該レジストが塗布されたウエハにパターンを焼き付ける露光装置STとを連結し、ウエハ処理を制御する制御装置CUを備え、該制御装置によるウエハ処理工程は、前記レジスト塗布装置により検査用ウエハにレジストを塗布する第1工程と、該ウエハを前記露光装置によりアライメントしながら順次露光する第2工程と、前記露光装置により非露光光を用いて潜像として観察される前記ウエハのずれ量計測マークとキャリブレーションマークを計測する第3工程とを有し、半導体製造途中の各プロセスのアライメント精度および工程オフセットを自動測定し、前記露光装置に工程オフセットを設定するように構成した。
請求項（抜粋）：
ウエハにレジストを塗布するためのレジスト塗布装置と該レジストが塗布されたウエハにパターンを焼き付ける露光装置とを連結し、ウエハ処理を制御する制御装置を備え、該制御装置によるウエハ処理工程は、前記レジスト塗布装置により検査用ウエハにレジストを塗布する第1工程と、該ウエハを前記露光装置によりアライメントしながら順次露光する第2工程と、前記露光装置により非露光光を用いて潜像として観察される前記ウエハのずれ量計測マークとキャリブレーションマークを計測する第3工程とを有し、半導体製造途中の各プロセスのアライメント精度および工程オフセットを自動測定し、前記露光装置に工程オフセットを設定するように構成したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 311 L
, H01L 21/30 301 G
