特許
J-GLOBAL ID：200903065986260218
光電子集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115008
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326343
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ノイズ電流を抑制した高感度な光受信用の光電子集積回路を提供する。【構成】 基板300上に形成された、受光素子とヘテロ接合型バイポーラトランジスタ群とを含んで構成される。受光素子の光吸収層120を形成する半導体物質は、そのバンドギャップ値がヘテロ接合型バイポーラトランジスタのベース層213を形成する半導体物質のバンドギャップ値よりも大きくなるように選択される。この結果、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタの動作時にベース電流によるベース層内での発光性再結合に起因して発生する光が光吸収層120に照射しても、光吸収層120で光キャリアは発生せず、ノイズ電流が抑制される。
請求項（抜粋）：
半絶縁性の基板上に、第1の半導体物質から成る光吸収部を有する受光素子と、前記第1の半導体物質のバンドギャップ幅よりも小さいバンドギャップ幅を有する第2の半導体物質からなるベース部を挟んで相対する領域にエミッタ部とコレクタ部とを形成して構成されるヘテロ接合型バイポーラトランジスタと、をモノリシックに含んで構成されることを特徴とする光電子集積回路。
IPC (4件)：
H01L 31/10
, H01L 27/14
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
, H01L 29/72
