特許
J-GLOBAL ID：200903065987203030
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239135
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195987
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 1つのメモリセルに対して4値以上のデータを効率良く読み書きすることができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 複数のメモリセルを備える不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセル243〜274は少なくとも4値のしきい値を持ち、しかも、少なくとも4つの互いに異なるプログラム電圧値のうち入力データに対応する1つのプログラム電圧値を用いて前記メモリセルに前記4値のうちの1つのしきい値を記憶させることによりデータを書き込むプログラム回路120と、前記メモリセルが記憶するしきい値を対応する入力データに変換して読み出すセンス回路123とを有する。さらにプログラム回路120は、複数の信号線からなるデータバスに接続され、データバスから選択された少なくとも2本以上の信号線によって供給される信号の組み合わせに応じてメモリセルへの書き込みデータを決定する。
請求項（抜粋）：
電気的に書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、複数の行線および列線と、これらの行線および列線にマトリクス状に接続された複数のメモリセルと、これらの複数のメモリセルから所望のメモリセルを選択する選択手段と、外部からのデータ信号に応じて少なくとも4種類の異なるしきい値から選択された1つのしきい値に対応するデータを選択されたメモリセルに書き込む書き込み制御手段と、前記メモリセルから読み出されたデータを前記しきい値に応じたデータに変換して出力する読み出し制御手段と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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