特許

J-GLOBAL ID：200903065989582844

酸化物対窒化物高選択性スラリー

発明者： ウイリアム ロバート モリソン ,  カイル ポール ハント
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004256
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270401
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 大きな酸化物:窒化物研磨除選択性を有するスラリーを用いて、STI平面化のための費用の掛からない一工程CMP法を達成する。【解決手段】 本発明は、浅い溝埋込み分離処理のための改良されたスラリーに関する。改良されたスラリーは向上した酸化物対窒化物研磨除去選択性を有する。本発明は、研磨用スラリーと、水酸化テトラメチルアンモニウム及び過酸化水素とを混合することにより形成した変性スラリーに関する。別の態様として、変性スラリーは、テトラメチルアンモニウムの塩と、塩基及び過酸化水素とを混合し、変性スラリーを形成することにより形成する。

請求項（抜粋）：

スラリーに、テトラメチルアンモニウムの塩、塩基、及び過酸化水素を混合して向上した研磨除去選択性を有する変性スラリーを形成する方法により形成した変性スラリーで、半導体装置を研磨することからなる、浅い溝埋込み分離の際の研磨除去選択性を向上させる方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  B01J 13/00 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L 21/304 321 P ,  B01J 13/00 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 M ,  C09K 3/14 550 H