特許

J-GLOBAL ID：200903065990918406

化学増幅型レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者： 村上 健一 ,  武智 敏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245051
公開番号（公開出願番号）：特開2002-055455
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月20日
要約：

【要約】【課題】 高解像性及び高感度を有することに加えて、特にArFレーザに対して透明であり、酸の存在下において保護基の脱離が容易に進行し、かつドライエッチング耐性(耐熱性)を有する化学増幅型レジスト材料を提供すること。【解決手段】 保護基により保護されたアルカリ可溶性基を含有しかつ前記保護基が酸により脱離して当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなる化学増幅型レジスト材料であって、前記アルカリ可溶性基の保護基が、環状炭化水素基にアリル基が付加した構造を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

保護基により保護されたアルカリ可溶性基を含有しかつ前記保護基が酸により脱離して当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなる化学増幅型レジスト材料であって、前記アルカリ可溶性基の保護基が、環状炭化水素基にアリル基が付加した構造を有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/12 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/12 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (40件)：

2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  4J002AA031 ,  4J002BB161 ,  4J002BC021 ,  4J002BC101 ,  4J002BG021 ,  4J002EB006 ,  4J002EQ006 ,  4J002EU026 ,  4J002EU186 ,  4J002EU226 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03