特許

J-GLOBAL ID：200903065997158229

読み出し専用記憶装置の製造方法

発明者： 平山 照峰
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-144016
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102434
出願日： 1991年05月20日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明の目的は、TATが短く、しかもゲート酸化膜の膜質劣化のおそれがない読み出し専用記憶装置の製造方法を提供することである。【構成】 本発明の読み出し専用記憶装置の製造方法は、半導体基板2上に、ゲート絶縁酸化膜4を形成した後、ゲート電極10を形成し、記録すべき情報に対応して、前記ゲート電極10をマスクし、低濃度不純物領域を形成するための第1の不純物を半導体基板2に導入し、各ゲート電極10に絶縁物から成る側壁14を形成し、次いで、ソース及びドレイン領域となる部分に高濃度不純物領域34a,34bを形成するために、第2の不純物を半導体基板2に導入し、ゲート電極10の端部に位置する半導体基板2上に低濃度不純物領域を形成するか否かで情報を記録することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成した後、ゲート電極を形成し、記録すべき情報に対応して、前記ゲート電極をマスクし、低濃度不純物領域を形成するための第1の不純物を半導体基板に導入し、各ゲート電極に絶縁物から成る側壁を形成し、次いで、ソース及びドレイン領域となる部分に高濃度不純物領域を形成するために、第2の不純物を半導体基板に導入し、ゲート電極の端部に位置する半導体基板上に低濃度不純物領域を形成するか否かで情報を記録することを特徴とする読み出し専用記憶装置の製造方法。