特許

J-GLOBAL ID：200903065999610480

ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタルとその製造方法及びそれを用いたMOCVD用原料溶液並びにそれを用いた窒化タンタル膜の形成方法

発明者： 安原 三紀子 ,  門倉 秀公
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-404625
公開番号（公開出願番号）：特開2002-193981
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】バリアー膜のTaN薄膜をCVD法で成膜するための原料としてTa(NtBu)(NEt2)3より1オーダー高い蒸気圧を有する安定な化合物を提供する。さらにその製法と、それを用いてTaN膜を形成する方法を提供する。【解決手段】新規化合物ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタルTa(NtAm)(NMe2)3は、1Torr/80°Cの蒸気圧を持ち、その融点は36°Cである。それは、TaCl51モルとLiNMe24モルとLiNHtAm1モルとを有機溶媒中、室温付近で反応させ、濾過分離、溶媒留去後、真空蒸留して得られる。この化合物を原料として、550°C、0.05TorrのCVDでSiO2/Si基板上に立方晶TaN膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタル

IPC (5件)：

C07F 9/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

C07F 9/00 Z ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 B

Fターム (33件)：

4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050AD11 ,  4H050AD17 ,  4H050BB10 ,  4H050BE62 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104HH16 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033PP02 ,  5F033PP11 ,  5F033XX08 ,  5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045BB08 ,  5F045CB10