特許

J-GLOBAL ID：200903066007462421

半導体装置

発明者： 栗本 一実 ,  宮永 績 ,  堀 敦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252394
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 静電破壊保護用トランジスタのコンタクト領域における電力の集中を緩和する。【構成】 静電破壊保護用トランジスタ1において、ノッチを有するコンタクト領域15aをドレイン領域5上の素子分離領域に近接した部分に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板中に形成されたソース領域、及びドレイン領域を有する島領域と、該半導体基板中であって、該島領域を囲むように形成された素子分離領域と、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、該ドレイン領域に印加された静電気電荷による電流を該ドレイン領域内に分散させる手段と、を有する静電破壊防止のためのMOS型トランジスタ。