特許
J-GLOBAL ID：200903066007813534

TFT基板及びTFT基板の製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
田中 信夫

田中 信夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-352764
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235102
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なTFT基板及びTFT基板の製造方法の提案を目的とする。【解決手段】TFT基板1は、ガラス基板10と、上面がゲート絶縁膜30に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜50に覆われることにより絶縁されたゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート電極23上のゲート絶縁膜30上に形成されたn型酸化物半導体層40と、n型酸化物半導体層40上に、チャンネル部44によって隔てられて形成された酸化物透明導電体層60と、チャンネル部44を保護するチャンネルガード500とを備えた構成としてある。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板の上方に形成され、上面がゲート絶縁膜に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜に覆われることにより絶縁されたゲート電極及びゲート配線と、 前記ゲート電極の上方の前記ゲート絶縁膜の上方に形成された第一の酸化物層と、 前記第一の酸化物層の上方に、チャンネル部によって隔てられて形成された第二の酸化物層と、 前記チャンネル部の上方に形成され、前記チャンネル部を保護するチャンネルガードと を備えたことを特徴とするTFT基板。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136
FI (5件)：
H01L29/78 612D ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368
Fターム (55件)：
2H092GA33 ,  2H092GA41 ,  2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092HA12 ,  2H092HA19 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5C094AA09 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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