特許
J-GLOBAL ID：200903066012566308
レチクル及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229020
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075360
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 スクライブ領域とチップ領域での露光焦点のズレを抑制し得るレチクルを提供する。【構成】 中心部にスクライブ領域パターン33が形成されたレチクルの中心部に、ダミーパターン34を形成することにより、例えば、ウエハのチップ領域に配線層をパターニングする際に、ウエハのスクライブ領域上に配線層と同じ厚さのダミー層が形成され、スクライブ領域上とチップ領域上での露光焦点のズレを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上の複数のチップ領域を同時露光させ、且つ中心部にスクライブ領域パターンが形成されたレチクルにおいて、該中心部に位置するスクライブ領域パターン内にダミーパターンを形成したことを特徴とするレチクル。
IPC (2件)：
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