特許
J-GLOBAL ID：200903066018942557
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216428
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 緑色から赤色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 第1の半導体基板1上にInGaAlP系またはAlGaAs系の化合物半導体からなるn形層2およびp4形層を含む半導体層を積層して発光層形成部9を形成する。そして、GaPからなる第2の基板11上に液相成長法によりGaP層12をエピタキシャル成長する。そのエピタキシャル成長されたGaP層12の表面を鏡面研磨し、その鏡面研磨されたGaP層12を前記積層された発光層形成部9の表面に接着する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板上にInGaAlP系またはAlGaAs系の化合物半導体からなるn形層およびp形層を含む半導体層を積層して発光層形成部を形成し、GaPからなる第2の基板上に液相成長法によりGaP層をエピタキシャル成長し、該エピタキシャル成長されたGaP層の表面を鏡面研磨し、該鏡面研磨されたGaP層を前記積層された発光層形成部の表面に接着することを特徴とする半導体発光素子の製法。
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
