特許
J-GLOBAL ID：200903066024074885
シリコン窒化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289850
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134919
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 安定に再現性良くシリコン窒化膜を形成でき、その薄膜制御も容易であるシリコン窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積して形成するシリコン窒化膜の形成方法において、第1の条件でシリコン窒化膜を初期成膜する工程Iと、続いてシリコン窒化膜を第1の条件とは異なる第2の条件にて成膜する工程IIとの2段階の成膜工程をとる。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積して形成するシリコン窒化膜の形成方法において、第1の条件でシリコン窒化膜を初期成膜する工程と、続いてシリコン窒化膜を第1の条件とは異なる第2の条件にて成膜する工程との2段階の成膜工程をとることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 21/318 M
