レジスト膜のパターン形成方法及びパターン形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005823
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208997
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の回路パターンの形成の際エッチングのマスクとして用いるレジストパターン、特に化学増幅レジストによるレジストパターンの形成方法に関し、パターンが微細化されても、切れのよいレジストパターンを得る。【解決手段】少なくとも基材樹脂と光酸発生剤とを含む化学増幅レジストを基板111上の被パターニング体の上に塗布して、レジスト膜112を形成する工程と、露光光によりレジスト膜112を露光し、露光光とレジスト膜112中の光酸発生剤とを反応させてレジスト膜112中に酸を発生させる工程と、加湿された雰囲気中で露光されたレジスト膜112を加熱して、酸による基材樹脂の可溶化又は架橋化を促進する工程と、レジスト膜112を現像する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも基材樹脂と光酸発生剤とを含む化学増幅レジストを基板上の被パターニング体の上に塗布して、レジスト膜を形成する工程と、露光光により前記レジスト膜を露光し、該露光光と前記レジスト膜中の光酸発生剤とを反応させて前記レジスト膜中に酸を発生させる工程と、加湿された雰囲気中で前記露光されたレジスト膜を加熱して、前記酸による前記基材樹脂の可溶化又は架橋化を促進する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを有するレジスト膜のパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601

FI (3件)：

H01L 21/30 568 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601

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