特許
J-GLOBAL ID：200903066031033264
気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000578
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186076
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】裏面被膜の特定個所に発生するシリコンの針状の突起物であるノジュール発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上を可能とした気相成長方法を提供する。【構成】裏面被膜15の周縁部を削り落して該裏面被膜15がサセプタ4に接触しないようにすることによって、基板6の裏面の針状のシリコンの突起物であるノジュールの生成を防止するようにした。
請求項（抜粋）：
反応ガスが導びかれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみに設けて気相成長を行なうことを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
