特許

J-GLOBAL ID：200903066031138830

液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法

発明者： 竹田 守
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275301
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131023
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 生産性の向上を図る。【構成】 (a)透明絶縁基板1上にゲート電極2を成膜しパターニングする。(b)ゲート絶縁体層3、半導体層4、不純物半導体層(n+ :a-Si)5を連続して成膜する。(c)トランジスタのチャネル部分に半導体層4および不純物半導体層5をパターニングして残す。(d)透明絶縁基板1を陽極側に設置して酸素プラズマを発生させ不純物半導体層5をプラズマ陽極酸化する。これによりチャネル上の不純物半導体層5を絶縁体化層6として、チャネルの分離を行う。(e)ITOを成膜し、画素電極7を形成した後ソース・ドレイン電極8を成膜しパターニングする。【効果】 容易にソース・ドレイン間の不純物半導体層の分離が可能になり、さらに、半導体層と不純物半導体層とを従来のように厚く成膜する必要がないため、生産性を大いに向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体層とこの半導体層の上面に積層した不純物半導体層との積層膜に対し、酸素プラズマによる陽極酸化を選択的に行い、少なくとも前記不純物半導体層を絶縁体化し、前記半導体層を残すことを特徴とする液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-218926
  
• 特開昭64-082673
  
• 特開昭62-037966
  
• 特開昭61-145869