特許
J-GLOBAL ID：200903066032392110
半導体装置の保管装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219857
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069311
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】シリコンウェーハ上に生成される自然酸化膜を抑制し、酸素と水分を共存させない構造とした半導体装置の保管装置を提供する。【構成】完全に大気から遮断された半導体装置保管室と半導体装置の出し入れを行なう中間室、さらに保管室並びに中間室のガス雰囲気をモニタリングしているガス雰囲気監視部、監視部からの情報をもとに全体を抑制する制御部とを備えている半導体装置の保管装置。
請求項（抜粋）：
ガスパージ付入中間室及び外気から完全に遮断された保管室を有し、半導体装置の保管を任意のガス雰囲気にて行うことができ、且つ保管しているガス雰囲気を常時モニタリング可能にしたことを特徴とする半導体装置の保管装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, B65D 81/20
, B65D 85/00
, H01L 21/02
