特許

J-GLOBAL ID：200903066032588626

半導体の製造装置

発明者： 筑根 敦弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078338
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体の製造装置に係り、CVD装置の成膜工程で、基板の上下面に均一な膜を成膜して半導体の製造装置で製造される半導体装置の歩留り、及び信頼性を上げる。【構成】 CVD装置20の反応室の内部で基板の両面にヒーター13a、13bを配設し、基板11面内、基板両面11a、11b共に温度を均一にする。また、基板の下面11bにも反応ガス17が供給されるように基板11を浮かせた状態で固定する。更に固定した基板11を3rpm以上の速度で回転させて基板11の温度、及び反応ガス17の供給量を均一にすることによって均一な膜厚の膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

反応気体を導入する導入口、及び排気する排気口を有する反応室と、該反応室内で被処理基板を支持する支持部と、電源より電力の供給を受けて該被処理基板を加熱するヒーターとよりなり、該ヒーターが、該反応室内に設けられ、かつ該被処理基板を挟んで、対向する位置に配置されることを特徴とする半導体の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/54