特許
J-GLOBAL ID:200903066033068952
垂直構造を有する半導体固体レーザージャイロ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木村 高久
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-538413
公開番号(公開出願番号):特表2008-519251
出願日: 2005年10月26日
公開日(公表日): 2008年06月05日
要約:
本発明の分野は特に慣性制御システムにおいて用いられる固体レーザージャイロに関する。このタイプの装置は例えば航空の用途に用いられる。 固体レーザージャイロを光学的または電気的にポンピングされた半導体媒質から生産することは可能である。現在、後者のタイプのレーザージャイロはモノリシックでサイズが小さい。それらは一方でガスレーザージャイロの精度に匹敵する精度を達成することを可能にせず、他方で低い回転速度での周波数結合、または温度ドリフトを除去するための光学的方法を実施することを可能にしない。 本発明の一つの主題は、半導体媒質を備え、集められた別個の要素からなり、従って所望の精度を達成するために大きな空洞を生み出す可能性を与える、固体レーザージャイロである。 より正確には、レーザージャイロは互いに平行な平面ゲイン領域のスタックを含む垂直構造を有する外部空洞を伴った、光学的リング空洞および半導体の増幅媒質を備え、空洞の寸法は実質的に増幅媒質の寸法よりも大きく、前記増幅媒質は反射において使用される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
平均波長λ0の二つの光波が空洞内で反対方向に伝播することが出来るように配置された、少なくとも一つの光学的リング空洞(1)および固体の増幅媒質(2)を備えるレーザージャイロであって、
空洞の寸法が実質的に増幅媒質よりも大きく、そして前記増幅媒質が互いに平行な平面ゲイン領域(24)のスタックを含む垂直構造を有する、平均光学インデックスnの半導体媒質であることを特徴とする、レーザージャイロ。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (3件):
2F105BB03
, 2F105DD07
, 5F172CC04
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