特許
J-GLOBAL ID：200903066037447001
冷陰極電極構造とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220619
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 微細加工技術を用いることなく微細で、高密度な冷陰極の構造を形成する。【構成】 アルミニウム基板1にシリコン酸化膜4とモリブデン5の層を形成し(図2a)、開口部9を複数個開口する(図2b)。開口部9に陽極酸化膜を形成し(図2c)、次にバリア層23を除去し(図2d)、陽極酸化膜に形成される微小孔22にニッケル24を埋め込み(図2e)、フォトレジスト2を除去し(図2f)、埋め込んだニッケル24を冷陰極とし、モリブデン5をゲート電極とする。
請求項（抜粋）：
アルミニウムまたはアルミニウム合金の基板と、この基板の主面上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に形成された第1の導電膜と、この第1の導電膜及び第1の絶縁膜に形成された複数の開口部と、この開口部に露出した上記基板を陽極酸化して得られる陽極酸化膜と、この陽極酸化膜に存在する空孔を埋めた第2の導電体とを備え、上記第2の導電体を冷陰極とし、上記第1の導電膜を電子を引き出すゲート電極としたことを特徴とする冷陰極電極構造。
IPC (2件)：
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