半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153146
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340254
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】多層配線構造の半導体装置において、配線間の絶縁性能に優れた半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】半導体基板3と、半導体基板3上に設けられた第1絶縁樹脂層4と、第1絶縁樹脂層4上に設けられた第1再配線層5と、第1再配線層5上に設けられた第2絶縁樹脂層6と、第2絶縁樹脂層6上に設けられた第2再配線層7とを備えた半導体装置1。第2再配線層7の一部は第1再配線層5に重なる位置に形成され、第1絶縁樹脂層4上に、第1再配線層5の側方に配されるダミー配線8、9が形成され、ダミー配線8、9の側縁部8a、9aの少なくとも一部と、これに対向する第1再配線層5の側縁部5a、5bとが互いに沿うように配されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に設けられた第1絶縁層と、該第1絶縁層上に設けられた第1導電部と、該第1導電部上に設けられた第2絶縁層と、該第2絶縁層上に設けられた第2導電部とを備え、前記第2導電部の一部が前記第1導電部に重なる位置に形成され、前記第1絶縁層上に、前記第2導電部に重なる位置の第1導電部の側方に配される凸部が形成され、該凸部の側縁部の少なくとも一部と、これに対向する前記第1導電部の側縁部とは、互いに沿うように配されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/90 W , H01L21/88 S

Fターム (22件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH23 , 5F033MM05 , 5F033MM21 , 5F033NN21 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ53 , 5F033QQ89 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033WW01 , 5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-314047 出願人：株式会社フジクラ
国際公開第00/77843号パンフレット

審査官引用 (6件)

特開平2-184035
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119090 出願人：株式会社デンソー
特開平2-184035

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