特許

J-GLOBAL ID：200903066043612367

保護構造

発明者： ティエリー ロッツ
出願人/特許権者： イーエム マイクロエレクトロニック-マリン ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312789
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 回路を静電放電から保護するための構造の実現。【解決手段】 特に静電放電に対して保護すべき回路(16)の外部端子(A) に接続された保護構造は、第1の伝導タイプを有する3つの拡散領域(34 ,35,36) によって形成され、3つの拡散領域(34 ,35,36) は、第2の伝導タイプを有するウェル領域(32)に形成され、ウェル領域(32)は、第1の伝導タイプの半導体基板(30)に形成され、3つの拡散領域(34 ,35,36) のうちの2つの拡散領域(34 ,36) は、リファレンス電位(Vss) に接続され、他の拡散領域(35)は、外部端子に接続される。

請求項（抜粋）：

特に静電放電に対して保護すべき回路(16)の外部端子(A) に接続された保護構造であって、該保護構造は、第1の伝導タイプを有する3つの拡散領域(34 ,35,36) によって形成され、3つの前記拡散領域(34 ,35,36)は第2の伝導タイプを有するウェル領域(32)に形成され、前記ウェル領域(32)は前記第1の伝導タイプの半導体基板(30)に形成され、3つの前記拡散領域のうちの2つの前記拡散領域(34 ,36) は、リファレンス電位(Vss) に接続され、他の前記拡散領域(35)は、前記外部端子(A)に接続されることを特徴とする保護構造。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H02H 3/22 ,  H02H 7/20

FI (4件)：

H01L 27/04 H ,  H02H 3/22 ,  H02H 7/20 F ,  H01L 27/06 101 P