特許
J-GLOBAL ID：200903066045270250
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161167
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006551
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】ウエハの膜厚・膜質均一性の向上、パーティクルの低減を図る。【解決手段】インナチューブ2とアウタチューブ3からなるプロセスチューブ1と、複数枚のウエハを保持してインナチューブ2の処理室4に搬入するボート11と、処理室4に原料ガス30を導入するガス導入ノズル22と、プロセスチューブ1を排気する排気口7と、インナチューブ2の側壁に垂直方向に細長く開設された排気孔25とを備えているCVD装置において、インナチューブ2の排気孔25との対向位置には径方向外向きに突出する予備室21が形成され、予備室21にはガス導入ノズル22が配管され、ガス導入ノズル22には複数個の噴出口24がボート11に保持された各ウエハ10に対応して開設されている。【効果】噴出口から噴出したガスの勢いが予備室で減衰されるため、処理室での渦の発生が防止され、ウエハ面内およびウエハ群内で処理を均一化できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、複数枚の基板を保持して前記インナチューブ内に搬入するボートと、前記インナチューブ内にガスを導入するガス導入ノズルと、前記プロセスチューブ内を排気する排気口とを備えており、前記ガス導入ノズルには複数個の噴出口が開設され、前記インナチューブの側壁には排気孔が開設されている基板処理装置において、
前記インナチューブの前記排気孔との対向位置には径方向外向きに突出する予備室が形成されており、この予備室には前記ガス導入ノズルが配管され、前記ガス導入ノズルの噴出口は前記インナチューブの内周面よりも径方向外側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4K030AA04
, 4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030KA04
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AB03
, 5F045AB33
, 5F045BB01
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045EC02
, 5F045EC07
, 5F045EF03
, 5F045EF20
