特許
J-GLOBAL ID：200903066045998173
記憶素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145717
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324425
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 記憶素子を容易に安定して製造することが可能となる記憶素子の製造方法を提供する。【解決手段】 2つの電極1,3の間に記録層2を有して成り、2つの電極1,3に極性の異なる電位を印加することによって、可逆的に記録層2の抵抗値が変化する抵抗変化素子により、それぞれのメモリセルが構成された記憶素子を製造する際に、可溶性の有機材料をマスク11にして抵抗変化素子を加工し、有機材料のマスク11を覆って絶縁層4を形成し、さらに、リフトオフ法によりマスク11及びマスク11上の絶縁層4を選択的に除去する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
2つの電極の間に記録層を有して成り、前記2つの電極に極性の異なる電位を印加することによって、可逆的に前記記録層の抵抗値が変化する抵抗変化素子により、それぞれのメモリセルが構成された記憶素子を製造する際に、
可溶性の有機材料をマスクにして前記抵抗変化素子を加工する工程と、
その後、前記有機材料のマスクを覆って前記メモリセル間を電気的に分離させる絶縁層を形成する工程と、
さらに、前記マスクの前記有機材料を溶解して、前記マスク上の前記絶縁層を選択的に除去する工程とを有する
ことを特徴とする記憶素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA60
, 5F083PR04
, 5F083PR40
