特許
J-GLOBAL ID:200903066047829115
単層カーボンナノチューブの製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
平木 祐輔
, 藤田 節
, 島村 直己
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-197985
公開番号(公開出願番号):特開2006-016282
出願日: 2004年07月05日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
【課題】 アーク放電法による単層カーボンナノチューブの欠点を改良し、得られる単層カーボンナノチューブの純度を向上させる。【解決手段】 窒素ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
窒素ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。
IPC (3件):
C01B 31/02
, B01J 3/00
, B01J 19/08
FI (3件):
C01B31/02 101F
, B01J3/00 J
, B01J19/08 C
Fターム (28件):
4G075AA27
, 4G075BA01
, 4G075CA17
, 4G075CA63
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EC21
, 4G075FB02
, 4G075FB03
, 4G075FC11
, 4G146AA12
, 4G146AC03B
, 4G146AC16B
, 4G146AC27B
, 4G146BA01
, 4G146BA38
, 4G146BC17
, 4G146BC23
, 4G146BC38A
, 4G146BC38B
, 4G146BC41
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA17
, 4G146DA23
, 4G146DA45
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