特許
J-GLOBAL ID:200903066047829115

単層カーボンナノチューブの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 平木 祐輔 ,  藤田 節 ,  島村 直己
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-197985
公開番号(公開出願番号):特開2006-016282
出願日: 2004年07月05日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
【課題】 アーク放電法による単層カーボンナノチューブの欠点を改良し、得られる単層カーボンナノチューブの純度を向上させる。【解決手段】 窒素ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
窒素ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。
IPC (3件):
C01B 31/02 ,  B01J 3/00 ,  B01J 19/08
FI (3件):
C01B31/02 101F ,  B01J3/00 J ,  B01J19/08 C
Fターム (28件):
4G075AA27 ,  4G075BA01 ,  4G075CA17 ,  4G075CA63 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB03 ,  4G075FC11 ,  4G146AA12 ,  4G146AC03B ,  4G146AC16B ,  4G146AC27B ,  4G146BA01 ,  4G146BA38 ,  4G146BC17 ,  4G146BC23 ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146BC41 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA17 ,  4G146DA23 ,  4G146DA45

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