特許
J-GLOBAL ID：200903066050775255
半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066794
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140390
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 有機ケイ素化合物を用いる気相成長によって絶縁膜を形成するに当たり、段差埋め込み性および平坦性に優れた絶縁膜を歩留り良く製造する半導体装置の製造装置を提供する。【構成】 半導体ウェファ15に対して有機化合物による下地処理を行う前処理部11と、有機ケイ素化合物を原料ガスとする気相成長によって絶縁膜を成膜する気相成長部12と、半導体ウェファを前処理部から気相成長部へ搬送する搬送部13とを一体的に設ける。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を、有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長法によって形成する装置において、半導体ウエファの下地表面を有機化合物によって前処理する前処理部と、前処理を終わった半導体ウェファに対して有機ケイ素化合物を原料ガスとする気相成長によって絶縁膜を形成する気相成長部と、前記前処理部で前処理を終わった半導体ウェファを気相成長部へ搬送する搬送部とを一体的に設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/44
, H01L 21/31
