特許
J-GLOBAL ID：200903066053419794
AlGaInP系半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175609
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 エッチング時に形成される酸化膜層を除去し、清浄な結晶面を露出させて再成長を行い、高品質な結晶の再成長を行って、装置の信頼性を向上する。【構成】 AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチングし、表面に露出したAlGaInP層上に500°C以下の低温でプラズマ40が照射され、導波路作製のためのエッチング表面に形成された酸化膜層が除去され、清浄な結晶面26が露出される。この清浄な結晶面26に再成長を行うことにより高品質な結晶の再成長が行われ、界面の品質は向上し、レーザ装置の信頼性が向上される。更に、AlGaInP系半導体多層膜をメサ状に加工する工程を包含する。
請求項（抜粋）：
AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチングするエッチング工程と、表面に露出したAlGaInP層上に500°C以下の低温でプラズマを照射し酸化膜を除去して再び結晶層を成長させる再結晶工程と、を包含するAlGaInP系半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
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