特許
J-GLOBAL ID：200903066053759447
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028225
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223931
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の発光ダイオードは、光の出射が素子を構成する電極によって妨げられていた。この問題を回避する構造としては非常に高価な半球状のドーム面を有する素子しかなかった。【解決手段】 第1導電型半導体基板1の上に、第1導電型エピタキシャル層2が積層され、この上に第1導電型側の電極部5が形成され、この電極部5を除いて第1導電型エピタキシャル層2の上に第1の第2導電型エピタキシャル層3、第2の第2導電型エピタキシャル層4が順次積層され、この上に第2導電型側の電極部6が形成されてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の上に、第1導電型エピタキシャル層が積層され、該第1導電型エピタキシャル層の上に第1導電型側の電極部が形成され、該電極部を除いて前記第1導電型エピタキシャル層の上に第1の第2導電型エピタキシャル層、第2の第2導電型エピタキシャル層が順次積層され、該第2の第2導電型エピタキシャル層の上に第2導電型側の電極部が形成されてなることを特徴とする発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 B
