特許

J-GLOBAL ID：200903066054395260

カルコパイライト薄膜の製造方法及び太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275331
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 化学量論比の組成を有し、格子欠陥や過剰不純物の少ないpn伝導形ならびに導電率を制御し得るカルコパイライト薄膜の製造方法を提供する。【構成】 Cu、In、Seを入れた各ルツボを加熱し、10-7Torrの真空中で、表面の一部にMo金属膜が形成されたガラス基板30上に蒸着する際に、同時にイオンガンで励起された窒素イオンを加速電圧150Vで加速して照射して製造したカルコパイライト構造を有するCuInSe2 :N薄膜2を石英管1中に入れ、窒素ガス3を流入させながら、ヒータ4を用いて加熱し、500°Cの温度で1時間熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

非晶質あるいは結晶あるいは金属基板上に、イオン・ビームを照射しながら、真空蒸着あるいはスパッタ蒸着あるいは減圧気相化学反応蒸着を行って製造したカルコパイライト薄膜を、ガス雰囲気中で熱処理することを特徴とするカルコパイライト薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04