特許
J-GLOBAL ID:200903066059324701
マイクロデバイスの製造方法及び装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
牧野 剛博 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-125939
公開番号(公開出願番号):特開2002-323631
出願日: 2001年04月24日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 安価に製造することができ、量産に適する、フォトニック結晶素子等の製造方法及び装置を提供すること。【解決手段】 光マイクロデバイスは、一対の支持層SL1、SL2の間にフォトニックデバイス層PDLを備える。この光マイクロデバイスの製造に際しては、まず下側支持層SL1上に薄膜状の樹脂層PLLを形成し、次にプレス成形により樹脂層PLLに凹凸分布を付与してデバイス層PDLとし、最後にデバイス層PDL上に上側支持層SL2を形成する。この方法では、光マイクロデバイスの本体部分を一括して形成することができる。この際、プレス成形を用いるので、リソグラフィプロセスを用いる場合に比較して、製造コストを低く抑えることができ、製造処理におけるスループットを高めることができる。
請求項(抜粋):
下側支持層とデバイス層とを備えるマイクロデバイスの製造方法であって、前記下側支持層上に前記デバイス層の構成材料からなる薄膜層を形成する工程と、プレス成形により前記薄膜層に所定の立体的形状分布を付与して前記デバイス層とする工程とを備えるマイクロデバイスの製造方法。
IPC (5件):
G02B 6/13
, B29D 11/00
, G02B 1/02
, G02B 5/00
, G02B 6/12
FI (6件):
B29D 11/00
, G02B 1/02
, G02B 5/00 Z
, G02B 6/12 M
, G02B 6/12 Z
, G02B 6/12 N
Fターム (20件):
2H042AA16
, 2H042AA18
, 2H042AA19
, 2H042AA30
, 2H047KA03
, 2H047KA12
, 2H047KB04
, 2H047PA26
, 2H047PA28
, 2H047QA05
, 2H047RA00
, 2H047TA43
, 4F213AH73
, 4F213WA05
, 4F213WA53
, 4F213WA58
, 4F213WA60
, 4F213WA63
, 4F213WA67
, 4F213WB01
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