特許
J-GLOBAL ID：200903066061566445
不揮発性半導体メモリの消去方法及び消去装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329846
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172293
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 消去動作時におけるソース、ゲートへの電圧印加タイミングを最適化して消去ばらつきを小さくすることのできる不揮発性半導体メモリの消去方法を提供すること。【解決手段】 消去動作開始時にメモリセルのドレイン電圧を、消去のためにソースに印加される正電圧よりも低い値にするステップS1を実行した後に、ドレインをオープン状態にするステップS2を実行する。消去動作開始時にはソースに正電圧を印加するステップS3を実行してからゲートに負電圧を印加するステップS3-1を実行し、消去動作終了時にはゲートを接地レベルにするステップS4を実行してから、ソースを接地レベルにするステップS5を実行する。
請求項（抜粋）：
メモリセルのドレインをオープンとすると共に、ソースに正電圧を印加して前記メモリセルのデータ消去を行う不揮発性半導体メモリの消去方法において、前記メモリセルのドレインを放電させて該メモリセルのドレイン電圧を前記ソースに印加される正電圧より低くする第1のステップと、前記メモリセルのドレインをオープン状態にする第2のステップと、前記メモリセルのソースに正電圧を印加する第3のステップとを順に実行する第1の消去モードと、前記メモリセルのゲートを接地レベルにする第4のステップと、前記メモリセルのソースを接地レベルにする第5のステップとを順に実行する第2の消去モードとを実行することを特徴とする不揮発性半導体メモリの消去方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 621 C
, G11C 17/00 634 B
