特許

J-GLOBAL ID：200903066062226338

銅錯体およびこれを用いた銅含有薄膜の製造方法

発明者： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  綿貫 耕平
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292495
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、低融点で且つ熱的安定性に優れ、CVD法による銅薄膜又は酸化銅薄膜形成に適した銅錯体の提供を課題とする。また、該銅錯体を用いたCVD法による銅薄膜又は酸化銅薄膜形成方法の提供を課題とする。【解決手段】 下記一般式(I)で示される、XのみにまたはX、Y双方にシリルエーテル結合を持つアルキル基が存在することを特徴とする、2価銅のβ-ジケトネート錯体が上記課題を解決する化合物となることを見出し、本発明を完成した。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)’で表されるβ-ジケトネート基(式中Zは、Hまたは炭素原子数1〜4のアルキル基、Xは、式(I-I)で表される基(式中Raは、炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキレン基を、Rb、Rc、Rdは、夫々独立して炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキル基を表す)を、Yは、式(I-I)で表される基(式中Raは、炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキレン基を、Rb、Rc、Rdは、夫々独立して炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキル基を表す)かまたは、炭素数1〜8の直鎖または分枝のアルキル基を表す)を配位子とする一般式(I)で表される銅錯体。【化1】

IPC (2件)：

C07F 7/18 ,  C23C 16/18

FI (2件)：

C07F 7/18 H ,  C23C 16/18

Fターム (11件)：

4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ24 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VU24 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030FA10

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Journal of the American Chemical Society, 1954, 76, 1606-1609