特許
J-GLOBAL ID：200903066064685070
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-409189
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175005
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 出力を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の受光面に反射防止膜4を形成する工程と、半導体基板1の受光面の反対側にある裏面にアルミニウムペースト5を塗布する工程と、アルミニウムペースト5の塗布後に半導体基板1を加熱室12で加熱する工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、半導体基板1を加熱室12で加熱する工程は半導体基板1の受光面側にあるガス供給部16から加熱室12にガス17を供給しながら行われる太陽電池の製造方法である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の受光面に反射防止膜を形成する工程と、前記半導体基板の受光面の反対側にある裏面にアルミニウムペーストを塗布する工程と、前記アルミニウムペーストの塗布後に前記半導体基板を加熱室で加熱する工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板を加熱室で加熱する工程は前記半導体基板の受光面側にあるガス供給部から前記加熱室にガスを供給しながら行われることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA25
, 5F051GA15
, 5F051HA03
