特許

J-GLOBAL ID：200903066066478935

半導体装置のSOG層形成方法

発明者： ジァエ-ウォーク イム
出願人/特許権者： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367025
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274152
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】SOG層の形質を改善することによってボイドの発生を抑え、同時に、半導体素子の損傷を防止する半導体装置のSOG層形成方法を提供する。【解決手段】コーティング用のSOG樹脂25にイオン注入を行ってSOG樹脂25の分子間の結合状態を励起状態に活性化させ、SOG層26とする。このときの注入イオンは、イオン化が可能な全ての原子が使われ、イオン注入は100eV以上にし、注入量は1×10イオン/cm2 以上とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にHSQ系列のSOG層を形成する工程と、前記SOG層にイオン注入を行う工程と、前記SOG層を焼しまり加工する工程と、で構成されたことを特徴とする半導体装置のSOG層形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/265 Y