特許

J-GLOBAL ID：200903066068251105

半導体製造装置及びその使用方法

発明者： 田中 晃
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168052
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの反応処理中にサセプターに接触した反応ガスが固化して付着するのを防止することができる半導体製造装置及びその使用方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ30を反応処理する反応室14aを内部に有する反応管14と、反応管14の下端部以外の部分の外側に設けられたヒーター16と、最上部に半導体ウェーハ30を支持し各々が空間を隔てて多段構造34に組み立てられ反応室14a内に半導体ウェーハ30と共に挿入されるサセプター32とを備え、反応室14a内に反応ガスを導入する反応ガス導入管42のガス導入先端部42aをヒーター16の下端近傍の高さに配置させた。

請求項（抜粋）：

基板を反応処理する反応室を内部に有する反応管と、前記反応管の下端部以外の部分の外側に設けられたヒーターと、最上部に基板を支持し各々が空間を隔てて多段構造に組み立てられ前記反応室内に基板と共に挿入されるサセプターとを備え、前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入管のガス導入先端部を前記ヒーターの下端近傍の高さに配置させたことを特徴とする半導体製造装置。