特許
J-GLOBAL ID：200903066070070258
接続孔形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-336671
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163712
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 微細配線等において、高信頼の層間接続を可能にする。【構成】 半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上に配線、電極等の導電層14を形成した後、絶縁膜12の上に導電層14を覆って層間絶縁膜16を形成する。絶縁膜16及び導電層14が実質的に同一のエッチ速度になるようにして絶縁膜16を選択エッチングすることにより接続孔16aを形成する。このとき、導電層14より絶縁膜16のエッチ速度が速いと、導電層14の側部で接続孔16aの底部に連続して凹部が形成されるが、エッチ速度を同一としたことで凹部は形成されない。接続孔16aを介して導電層14に接続されるように配線層を形成すると、高信頼の層間接続部が得られる。
請求項（抜粋）：
基板の表面に導電層を形成する工程と、前記基板の表面に前記導電層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜及び前記導電層が実質的に同一のエッチ速度になるようにして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記層間絶縁膜に前記導電層に達する接続孔を形成する工程とを含む接続孔形成法。
IPC (2件)：
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