特許
J-GLOBAL ID：200903066076477945
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184828
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022453
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 温度に依存せず一定の電流を流す半導体装置を、小規模な回路構成で実現する。【解決手段】 任意のチャネル長及びチャネル幅を有するトランジスタに対し、各種温度におけるゲート・ソース間電圧(VGS)に対するソース・ドレイン間電流(IDS)の特性曲線を求め、各種温度における前記複数の特性曲線が交わる特異点でのゲート・ソース間電圧(VG)をゲート端子に印加するように設定する。このとき、ドレイン・ソース間に流れる電流(ID)は温度に依存せずに一定となる。
請求項（抜粋）：
任意のチャネル長及びチャネル幅を有するトランジスタに対し、各種温度におけるゲート・ソース間電圧に対するソース・ドレイン間電流の特性曲線を求め、各種温度における前記複数の特性曲線が交わる特異点でのゲート・ソース間電圧をゲート端子に印加するように設定することを特徴とする半導体装置。
Fターム (14件)：
5J090AA01
, 5J090CA02
, 5J090CA98
, 5J090CN01
, 5J090FA10
, 5J090FN06
, 5J090FN12
, 5J090HA09
, 5J090HA16
, 5J090HA25
, 5J090KA47
, 5J090MA21
, 5J090TA01
, 5J090TA04
